特許

J-GLOBAL ID：200903096174999239

半導体装置の製造方法

発明者： 塩谷 喜美 ,  大平 浩一 ,  前田 和夫 ,  鈴木 智美
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-106689
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305242
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率が5以下の低い比誘電率を有し、かつ、シリコン窒化膜と同等のリーク電流特性を有するバリア絶縁膜を成膜する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 テトラエトキシシラン(TEOS)と一酸化二窒素(N2O)とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅配線34bが露出している基板21上に銅配線34bを被覆するバリア絶縁膜35aを形成する。

請求項（抜粋）：

テトラエトキシシラン(TEOS)と一酸化二窒素(N2O)とを含む成膜ガスをプラズマ化して反応させ、表面に銅膜を主とする配線が露出している基板上に前記銅膜を主とする配線を被覆するバリア絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 P

Fターム (33件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033XX10 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 特開平4-162428
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-140507   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245439   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-349888   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-162428
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334296   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-075793   出願人：日本電気株式会社
• 薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284743   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-170659   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 多層配線装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298085   出願人：シャープ株式会社