特許
J-GLOBAL ID：200903069304375723
結晶性SiC膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 田崎 豪治
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-369581
公開番号（公開出願番号）：特開2006-176811
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 500°C程度以下の低温基板温度で低抵抗率を有する結晶性SiC膜を効率的に作製しうる方法を提供する。【解決手段】 基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を500°C以下、好ましくは300°C以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。堆積は好適にはCVD法、そしてさらに好適には触媒CVD法による。シラザン類としては、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、もしくはジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を500°C以下として、窒素をドーピングすることを特徴とする結晶性SiC膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA20
, 4K030BA37
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030FA01
, 4K030FA07
, 4K030FA17
, 4K030JA10
, 4K030LA12
, 5F058BC20
, 5F058BF01
, 5F058BF07
, 5F058BF27
, 5F058BF30
