特許
J-GLOBAL ID：200903069520624720

ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

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武田 隆信

武田 隆信 について

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渡邊 修

渡邊 修 について

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金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099225
公開番号（公開出願番号）：特開2003-295441
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】 従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】 少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。【化34】( 式中、R1、R3は水素原子、炭素数1〜40の置換可アルキル基、炭素数1〜10のアシル基、炭素数3〜10のトリアルキルシリル基、R2は水素原子、メチル基、R4、R5は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、シアノ基、R6は酸不安定基である。m、nは0または1から4の正の整数である。pは正数、q、rは0または正数である。)
請求項（抜粋）：
少なくとも、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、かつ酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするポジ型レジスト材料。【化1】( 式中、R1、R3は水素原子、炭素数1〜40の置換可アルキル基、炭素数1〜10のアシル基、あるいは炭素数3〜10のトリアルキルシリル基を表す。R2は水素原子、メチル基である。R4、R5は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、シアノ基である。R6は酸不安定基である。m、nは0または1から4の正の整数である。pは正数、q、rは0または正数である。)
IPC (4件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/18 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 12/22 ,  C08F 20/18 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (35件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08R ,  4J100AU21P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BA10P ,  4J100BA10Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA61 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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