特許
J-GLOBAL ID：200903060229609201

半導体装置の製造方法、感光性組成物及びパターン形成方法

発明者：
沖野 剛史

沖野 剛史 について

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浅川 鋼児

浅川 鋼児 について

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信田 直美

信田 直美 について

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後河内 透

後河内 透 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-269320
公開番号（公開出願番号）：特開2000-098612
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 短波長光に対して高い透明性を有するとともに、基板との密着性が高く、解像性およびドライエッチング耐性の良好なパターンを形成することが可能な半導体装置の製造方法、同用途に用いる感光性組成物及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】高感度で脱離する極性基を持つ脂環式骨格を有する単量体を重合した高分子重合体と光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とする感光性組成物を用いる。
請求項（抜粋）：
一般式(1)、(2)で示される単量体から選ばれる少なくとも一種の単量体を単重合または他のビニル系単量体と共重合させてなる高分子重合体と、光酸発生剤を少なくとも具備する感光性組成物を含有する膜を基板の被エッチング膜上に形成させる工程と、感光性組成物含有膜の所定領域にパターン露光を施す工程と、露光後の感光性組成物含有膜を加熱処理する工程と、加熱処理後の前記感光性組成物含有膜をアルカリ水溶液で現像処理して、前記感光性組成物含有膜を選択的に溶解除去してパターンニングされたフォトマスクを形成させる工程と、フォトマスクをマスクとし、ドライエッチング法により被エッチング膜をエッチングする工程を少なくとも具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。【化1】(ただし、Rはアクリロイルまたはメタクリロイル基、R11、R12は水素原子または1価のアルキル基、R13はOH基、OR14基(R14は1価の有機基)、COOR14基、=O基、及びCOOH基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基)
IPC (4件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/48 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/48 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (45件)：
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA03 ,  4J011RA03 ,  4J011RA11 ,  4J011RA12 ,  4J011SA79 ,  4J011SA80 ,  4J011SA83 ,  4J011SA84 ,  4J011SA86 ,  4J011SA87 ,  4J011TA07 ,  4J011TA08 ,  4J011UA01 ,  4J011UA03 ,  4J011UA04 ,  4J011UA05 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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