特許
J-GLOBAL ID：200903069534099660
半導体装置及びその製造方法及び基板フレーム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268105
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087386
出願日： 1997年09月13日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 配線基板に樹脂封止された半導体素子を搭載する半導体装置において最も自動化し易く量産性・低価格性・信頼性の高いトランスファモールド工程に供与して最適な半導体装置の製造方法及びこの方法に用いられるプッシュバック方式の基板フレームを提供する。【解決手段】 プッシュバック方式の基板フレーム10にソルダーレジストを塗布形成する場合少なくとも第1の面のプッシュバックラインに沿ってその近傍に熱硬化性レジスト膜28を形成し、その他の領域にはフォトレジスト膜29を形成する。また、基板フレームの配線基板領域33に対向しプッシュバックラインに近接してプッシュバック時の歪みを緩和する手段(スリット)30を設ける。熱硬化性レジストは基板フレームを切断しても白化現象が発生することが少ない。スリットによりプッシュバック処理が迅速に行われる。
請求項（抜粋）：
配線パターンとこの配線パターンに電気的に接続された複数の接続電極が形成され、かつ接続電極が形成されている領域以外の領域にレジスト膜が形成された第1及び第2の面を有する配線基板と、前記配線基板の第1の面に搭載され前記配線パターンと電気的に接続された半導体素子と、前記配線基板の第1の面上に形成され、かつ前記半導体素子を被覆するトランスファモールドにより形成され側面に所定のテーパ角度を有する樹脂封止体とを備え、前記配線基板の第1の面に接する前記樹脂封止体の側面端部は、前記配線基板の各辺の端部と実質的に接しているかもしくは近接しており、前記配線基板の第1の面上の周辺及び周辺部近傍領域に形成されたレジスト膜は、熱硬化性レジスト膜から構成され、前記領域以外の領域に形成された前記レジスト膜は、フォトレジストから構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/56
, H01L 23/12
, H01L 23/28
, H05K 3/00
H01L 21/56 T
, H01L 23/28 Z
, H05K 3/00 L
, H01L 23/12 L
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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