特許
J-GLOBAL ID:200903069551234083
半導体装置及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-203918
公開番号(公開出願番号):特開2007-027232
出願日: 2005年07月13日
公開日(公表日): 2007年02月01日
要約:
【課題】 セルフヒート効果を低減することができ、基板浮遊効果も解消できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Si基板1上のSi層10にゲート酸化膜21を介して形成されたゲート電極23と、ゲート電極23を挟んでSi層10に形成されたソース層27a及びドレイン層27bと、を含んで構成されるSDONトランジスタ100を有し、ソース層27aとSi基板1との間及び、ドレイン層27bとSi基板1との間にはそれぞれ空洞部15が存在し、且つゲート電極23下のSi層10とSi基板1との間には空洞部が存在していないことを特徴とするものである。ゲート電極23下のSi層10がSi基板1とつながっているので、SONトランジスタと比べて、セルフヒート効果を低減することが可能である。また、ボディ電位はSi基板1に固定されるので、基板浮遊効果を解消することができる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
半導体基板上の半導体層にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記半導体層に形成されたソース層及びドレイン層と、を含んで構成されるトランジスタを有し、
前記ソース層と前記半導体基板との間及び、前記ドレイン層と前記半導体基板との間にはそれぞれ空洞部が存在し、且つ前記ゲート電極下の前記半導体層と前記半導体基板との間には前記空洞部が存在していないことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 29/78
, H01L 27/12
, H01L 21/764
, H01L 21/76
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (10件):
H01L29/78 301X
, H01L29/78 301R
, H01L27/12 L
, H01L21/76 A
, H01L21/76 L
, H01L29/78 626B
, H01L29/78 618C
, H01L29/78 616J
, H01L29/78 616T
, H01L29/78 621
Fターム (87件):
5F032AA01
, 5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AA77
, 5F032AC02
, 5F032BA01
, 5F032BA06
, 5F032BA08
, 5F032BB01
, 5F032CA05
, 5F032CA06
, 5F032CA09
, 5F032CA10
, 5F032CA17
, 5F032DA02
, 5F032DA12
, 5F032DA13
, 5F032DA16
, 5F032DA24
, 5F032DA28
, 5F032DA33
, 5F032DA78
, 5F110AA01
, 5F110AA09
, 5F110AA15
, 5F110AA23
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD05
, 5F110EE31
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG12
, 5F110GG22
, 5F110GG42
, 5F110GG52
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HM02
, 5F110HM15
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN35
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
, 5F140AA01
, 5F140AA02
, 5F140AA34
, 5F140AC36
, 5F140BA00
, 5F140BA01
, 5F140BA02
, 5F140BA03
, 5F140BA05
, 5F140BA06
, 5F140BA07
, 5F140BA08
, 5F140BA10
, 5F140BA16
, 5F140BB02
, 5F140BC06
, 5F140BC12
, 5F140BC13
, 5F140BC15
, 5F140BC19
, 5F140BE07
, 5F140BF43
, 5F140BF44
, 5F140BG08
, 5F140BH06
, 5F140BH15
, 5F140BH34
, 5F140BH45
, 5F140BJ27
, 5F140BK13
, 5F140BK26
, 5F140CB04
, 5F140CB10
, 5F140CC03
, 5F140CC13
, 5F140CE07
引用特許:
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