特許
J-GLOBAL ID:200903007535110360
半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法、および半導体基板、半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石川 泰男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-133090
公開番号(公開出願番号):特開2003-332540
出願日: 2002年05月08日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 低コストで高品質なSON半導体基板の製造方法を提供し、また、この半導体基板の製造方法を工程中にすることで高性能な半導体装置を製造することができる方法を提供する。【解決手段】基板の所望の領域に微小空洞を形成するためのイオンを注入する第1ステップと、前記第1ステップにより微小空洞が形成された基板に熱処理をする第2ステップと、を有し、前記第2ステップには、少なくとも基板を1000°C以上の温度に曝すための高温熱処理ステップがあることを特徴とする半導体基板の製造方法を提供し、併せて、この方法を工程中に有する半導体装置の製造方法を提供する。
請求項(抜粋):
基板の所望の領域に微小空洞を形成するためのイオンを注入する第1ステップと、前記第1ステップにより微小空洞が形成された基板に熱処理をする第2ステップと、を有し、前記第2ステップには、少なくとも基板を1000°C以上の温度に曝すための高温熱処理ステップがあることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (8件):
H01L 27/12
, H01L 21/265
, H01L 21/336
, H01L 21/76
, H01L 21/762
, H01L 21/764
, H01L 29/78
, H01L 29/786
FI (8件):
H01L 27/12 E
, H01L 21/265 J
, H01L 21/76 L
, H01L 29/78 301 Y
, H01L 21/76 A
, H01L 21/76 D
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 621
Fターム (37件):
5F032AA01
, 5F032AA07
, 5F032AA35
, 5F032AC02
, 5F032CA17
, 5F032DA43
, 5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110AA09
, 5F110AA16
, 5F110AA18
, 5F110BB03
, 5F110BB05
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD24
, 5F110DD25
, 5F110DD30
, 5F110EE09
, 5F110EE30
, 5F110EE31
, 5F110NN62
, 5F110QQ17
, 5F140AA01
, 5F140AA02
, 5F140AA40
, 5F140AC19
, 5F140AC32
, 5F140AC36
, 5F140BA01
, 5F140BG08
, 5F140BH34
, 5F140BH40
, 5F140BH45
, 5F140CB04
, 5F140CD01
, 5F140CD10
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (15件)
-
半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-059999
出願人:セイコーエプソン株式会社
-
半導体基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-031037
出願人:株式会社デンソー
-
薄膜生成システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-070983
出願人:株式会社日立製作所
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