半導体素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：志賀正武 , 渡邊隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-136486
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336052
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】短チャンネル効果を低減し、漏洩電流を減らすと同時に、フローティングボディー効果を抑制する半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板301上に形成された一対のボイド領域311と一対の不純物パターン321を有するエピタキシャルパターンと、一対の不純物パターン上のゲート電極319とを含み、前記一対のボイド領域の各々は基板と前記一対の不純物領域との間に位置し、前記一対の不純物領域の各々は少なくとも一対のボイド領域と一部重畳する。【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に配置され、一対の不純物拡散領域及び一対のボイド領域を有するエピタキシャルパターンと、前記一対の不純物拡散領域の間のエピタキシャルパターン上に位置するゲート電極と、を含み、前記一対のボイド領域の各々は基板と前記一対の不純物拡散領域との間に位置し、前記一対の不純物拡散領域の各々は少なくとも一対のボイド領域の各々と一部重畳することを特徴とする半導体素子。

IPC (7件)：

H01L29/78 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786

FI (11件)：

H01L29/78 301X , H01L27/12 E , H01L27/12 L , H01L29/58 G , H01L21/76 L , H01L21/76 D , H01L21/76 E , H01L29/78 618C , H01L29/78 621 , H01L29/78 626C , H01L29/78 626B

Fターム (70件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB19 , 4M104FF14 , 4M104FF31 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F032AA09 , 5F032AA34 , 5F032AA45 , 5F032AA77 , 5F032AA78 , 5F032AA82 , 5F032AC02 , 5F032BA01 , 5F032CA05 , 5F032CA17 , 5F032DA12 , 5F032DA13 , 5F032DA25 , 5F032DA28 , 5F032DA33 , 5F032DA34 , 5F032DA53 , 5F032DA78 , 5F110AA15 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD21 , 5F110DD22 , 5F110EE02 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HJ13 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F140AA12 , 5F140AA21 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BH45 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CB04 , 5F140CE06 , 5F140CE07 , 5F140CF07

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-214064
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-185885 出願人：松下電子工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-113653 出願人：株式会社東芝

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