特許
J-GLOBAL ID：200903069587604650
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
振角 正一
, 梁瀬 右司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-308421
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135172
出願日： 2007年11月29日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】貫通孔とエアギャップとのミスアライメントが生じた場合においても貫通孔とエアギャップの連通を防止する。【解決手段】酸化シリコン膜(第1絶縁膜)10のうち配線頂部を覆うキャップ部位10aの側面からエアギャップ16側にストッパー層12の翼部位12bが延設されており、エアギャップ16の上方周縁部上に設けられている。したがって、層間絶縁膜14、ストッパー層12および酸化シリコン膜10を上方から貫いて配線6に繋がるように貫通孔18を形成する際、貫通孔18の形成位置が予め設定された基準位置から多少ずれたとしてもストッパー層12により貫通孔18のエアギャップ16への到達が阻止されて両者の連通が防止される。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の配線を配線間ギャップを設けながら形成する第1工程と、
前記配線の上面および側面上と前記半導体基板上とに第1絶縁膜を形成する第2工程と、
前記第1絶縁膜上に犠牲層を形成する第3工程と、
前記犠牲層の上層部を除去して前記第1絶縁膜のうち前記配線の頂部を覆うキャップ部位を露出させる第4工程と、
前記犠牲層の上面と前記キャップ部位の上面および側面上にストッパー層を形成する第5工程と、
前記配線間ギャップに埋設された前記犠牲層の上方位置で、前記配線間ギャップよりも狭い開口を前記ストッパー層に形成する第6工程と、
前記開口を介して前記配線間ギャップから前記犠牲層を除去してエアギャップを形成す第7工程と、
前記エアギャップを塞ぐように前記ストッパー層上に第2絶縁膜を形成する第8工程と、
前記第2絶縁膜、前記ストッパー層および前記第1絶縁膜を上方から貫いて前記配線に繋がる、貫通孔を形成する第9工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 23/522
H01L21/90 N
, H01L21/90 A
5F033KK11
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033MM11
, 5F033MM13
, 5F033PP06
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ19
, 5F033QQ25
, 5F033QQ42
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR08
, 5F033RR09
, 5F033RR22
, 5F033RR30
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033XX15
, 5F033XX31
