特許
J-GLOBAL ID:200903069606826406
プラズマ表面処理装置とその処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (2件):
佐野 章吾
, 寒川 潔
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-270067
公開番号(公開出願番号):特開2005-026167
出願日: 2003年07月01日
公開日(公表日): 2005年01月27日
要約:
【課題】 プラズマ表面処理の対象と目的に合わせ一台でダウンストリーム(D)方式とプラナー(P)方式をユーザが任意に選択して実行できる装置と、D方式において、反応ガスである窒素ガスの消費量を大きく低減できる方法を提供する。【解決手段】 基板Wへの反応ガスの供給路を挟むように対向配置されたD方式の電極4,5と、基板Wを挟むように対向配置されたP方式の電極4,6,7とを備え、表面処理の対象と目的に応じ、D方式の電極とP方式の電極に、高周波電圧を切換えて供給できるようにした。さらにD方式の反応ガスとして、窒素ガスに、体積比で0.01〜0.25%の酸素、または体積比で0.1〜2.5%の空気を混入したものを使用する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
大気圧近傍の圧力の下に、プラズマ化した反応ガスによって被処理基板の表面処理を行う装置であって、
被処理基板への反応ガスの供給路を挟むように対向配置され、プラズマ化した反応ガスを被処理基板に噴射供給する一対以上のダウンストリーム方式の電極と、
被処理基板を挟むように対向配置され、プラズマ化した反応ガスを被処理基板に直に作用させる一対以上のプラナー方式の電極とを備え、
表面処理の目的に応じ、ダウンストリーム方式の電極とプラナー方式の電極に、高周波電圧を切換えて供給することを特徴とするプラズマ表面処理装置。
IPC (3件):
H05H1/24
, B01J19/08
, C23G5/00
FI (3件):
H05H1/24
, B01J19/08 E
, C23G5/00
Fターム (16件):
4G075AA30
, 4G075BC10
, 4G075CA47
, 4G075CA63
, 4G075DA18
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075EE31
, 4K053PA13
, 4K053QA04
, 4K053QA06
, 4K053RA03
, 4K053SA02
, 4K053XA50
, 4K053YA03
, 4K053ZA10
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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