特許
J-GLOBAL ID：200903054699854920
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-293043
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110639
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ生成用ガスの組成によって、プラズマ処理時に半導体チップに加わるチャージアップダメージを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 誘電体材料で筒状の反応管7を形成すると共に反応管7の片側をスリット形状の吹き出し口12として開放する。反応管7の外側に複数個の電極9、10を配設する。希ガスと酸素ガスを含むプラズマ生成用ガス8を反応管7に導入すると共に電極9、10間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管7内に放電を発生させる。放電により反応管7内に生成されたプラズマ13を吹き出し口12から吹き出すプラズマ処理装置に関する。プラズマ生成用ガス8に占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にする。プラズマ13中に生じる電子を酸素ガスで吸着して消滅させることができる。
請求項（抜粋）：
誘電体材料で筒状の反応管を形成すると共に反応管の片側をスリット形状の吹き出し口として開放し、反応管の外側に複数個の電極を配設し、希ガスと酸素ガスを含むプラズマ生成用ガスを反応管に導入すると共に電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で反応管内に放電を発生させ、放電により反応管内に生成されたプラズマを吹き出し口から吹き出すプラズマ処理装置において、プラズマ生成用ガスに占める酸素ガスの混合比率を2〜5vol%にして成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/304 645
, H05H 1/24
H01L 21/304 645 C
, H05H 1/24
, H01L 21/302 B
5F004AA06
, 5F004AA13
, 5F004BA03
, 5F004BB13
, 5F004BB24
, 5F004CA02
, 5F004DA00
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DA30
, 5F004DB23
, 5F004EB02
