特許
J-GLOBAL ID：200903069633990064

光検出素子、光検出素子の制御方法、空間情報検出装置

発明者：
橋本 裕介

橋本 裕介 について

, 
高田 裕司

高田 裕司 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001003
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190791
出願日： 2005年01月05日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】別途に回路を設けずに2期間の受光光量の差分に相当する受光出力を得る。【解決手段】シリコン層からなる主機能層11に絶縁層14を介して集積電極12と保持電極13とが設けられる。主機能層11は受光光量に応じた個数の電子とホールとを生成する。集積電極12に負極性の集積電圧を印加し保持電極13に正極性の保持電圧を印加すると、主機能層11で生成されたホールが集積領域11bに集積される。次に、集積電圧を正極性とし保持電圧を負極性にすると、集積領域11bに電子が集積され、集積領域11bのホールは保持領域11cに移送される。さらに、集積電圧を負極性とし保持電圧を正極性の保持電圧を与えると、集積領域11bの電子が保持領域に移動し、保持領域11cのホールと主機能層11で生成されたホールとが集積領域11bに集積され、電子とホールとが再結合される。再結合後に残留する電子が受光出力として取り出される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光の照射により電子およびホールを生成する固体からなる光電変換部を有し、前記固体の一表面に絶縁層を介して配置され集積電圧が印加されると前記固体にポテンシャル井戸からなる集積領域を形成する集積電極を有し、光電変換部で異なる時刻に生成された電子とホールとが集積領域にそれぞれ集積されるように集積電圧が制御されることにより、電子とホールとの一方が集積領域に捕捉されている間に他方が集積領域に集積されて電子とホールとが再結合され、再結合後に残留した電子とホールとの少なくとも一方が受光出力として取り出されることを特徴とする光検出素子。
IPC (6件)：
H01L 31/00 ,  G01B 11/00 ,  G01J 1/02 ,  H03K 17/945 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (8件)：
H01L31/00 B ,  G01B11/00 A ,  G01J1/02 N ,  G01J1/02 Q ,  H03K17/945 K ,  H04N5/335 F ,  H04N5/335 P ,  H01L27/14 A
Fターム (63件)：
2F065AA04 ,  2F065AA06 ,  2F065AA53 ,  2F065DD11 ,  2F065FF09 ,  2F065FF13 ,  2F065FF31 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL10 ,  2F065NN02 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ27 ,  2G065BA04 ,  2G065BA05 ,  2G065BA33 ,  2G065BA34 ,  2G065BB06 ,  2G065BB21 ,  2G065BC02 ,  2G065BC05 ,  2G065BE07 ,  2G065BE08 ,  2G065CA05 ,  2G065DA15 ,  2G065DA20 ,  4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB03 ,  4M118BA06 ,  4M118BA13 ,  4M118DB09 ,  4M118DB11 ,  4M118DD01 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118GA03 ,  4M118GA04 ,  4M118GB03 ,  4M118GD04 ,  5C024CX43 ,  5C024EX43 ,  5C024GX07 ,  5C024GY01 ,  5C024HX02 ,  5F088AA20 ,  5F088AB02 ,  5F088BA05 ,  5F088BA20 ,  5F088BB06 ,  5F088EA04 ,  5F088FA02 ,  5F088GA04 ,  5F088HA10 ,  5F088JA12 ,  5F088LA03 ,  5J050AA05 ,  5J050BB17 ,  5J050BB22 ,  5J050DD18 ,  5J050FF02 ,  5J050FF08 ,  5J050FF15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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