特許
J-GLOBAL ID：200903069649235959
電子放出素子、その製造方法ならびに表示素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069285
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268701
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 微粒子エミッタを用いた電子放出素子で、大面積に多数の素子を作成した時に、電子放出量のむらを抑制出来る電子放出素子により、低電圧駆動が可能で、長寿命、高精細化が容易な大面積均一な表示素子の提供。【解決手段】 基板1と、この基板上に設けられたカソード配線層2と、ゲート配線層6と、前記カソード配線層と前記ゲート配線層とを電気的に絶縁する絶縁層5とを有し、前記ゲート配線層および前記絶縁層とを貫いた貫通孔内に抵抗層3およびエミッタ層4が形成された電子放出素子であって、前記抵抗層が絶縁性微粒子3aからなる母材中に導電性微粒子3bが分散した構造を有するものであり、かつ、前記エミッタ層が微粒子材料によって形成されたものであることを特徴とする、電子放出素子。カソード電極ラインとエミッタ層と絶縁層と、ゲート電極ラインとが順に形成された第一の基板上の絶縁層がフッ素を含有する二酸化珪素膜よりなることを特徴とする、表示素子。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に設けられたカソード配線層と、ゲート配線層と、前記カソード配線層と前記ゲート配線層とを電気的に絶縁する絶縁層とを有し、前記ゲート配線層および前記絶縁層とを貫いた貫通孔内に抵抗層およびエミッタ層が形成された電子放出素子であって、前記抵抗層が絶縁性微粒子からなる母材中に導電性微粒子が分散した構造を有するものであり、かつ、前記エミッタ層が微粒子材料によって形成されたものであることを特徴とする、電子放出素子。
IPC (3件)：
H01J 1/304
, H01J 1/30
, H01J 9/02
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
, H01J 1/30 A
