特許
J-GLOBAL ID:200903069652375117

半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 白井 重隆
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-286439
公開番号(公開出願番号):特開2001-064685
出願日: 1999年10月07日
公開日(公表日): 2001年03月13日
要約:
【要約】【課題】 環境への負荷が少なく、かつ、化学的機械研磨(CMP)後に、半導体基板などの半導体部品上に残った不純物に対して洗浄効果の高い洗浄剤、および、半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成物を提供すること。【解決手段】 カルボン酸(塩)基を有する(共)重合体、スルホン酸(塩)基を有する(共)重合体、およびホスホン酸(塩)基を有する(共)重合体、のうち、少なくとも2種の(共)重合体、さらに必要に応じてこれにホスホン酸化合物を含有する半導体部品用洗浄剤、ならびに、上記半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有する研磨用組成物。
請求項(抜粋):
(a)カルボン酸(塩)基を有する(共)重合体、(b)スルホン酸(塩)基を有する(共)重合体、および(c)ホスホン酸(塩)基を有する(共)重合体、のうち、少なくとも2種の(共)重合体を含有する半導体部品用洗浄剤。
IPC (11件):
C11D 7/26 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/36 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 647 ,  C11D 3/14 ,  C11D 3/37
FI (12件):
C11D 7/26 ,  C09K 3/14 550 K ,  C09K 3/14 550 M ,  C09K 3/14 550 Z ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/34 ,  C11D 7/36 ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 647 A ,  C11D 3/14 ,  C11D 3/37
Fターム (10件):
4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DA16 ,  4H003DB01 ,  4H003EB24 ,  4H003EB28 ,  4H003EB30 ,  4H003ED02 ,  4H003FA03 ,  4H003FA05
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (11件)
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