特許
J-GLOBAL ID：200903069697234263

有機トランジスタ

発明者：
中塚 正勝

中塚 正勝 について


出願人/特許権者：
三井化学株式会社

三井化学株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-288978
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141338
出願日： 2008年11月11日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。 X-Y (1)(式中、Xは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、あるいは置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基を表し、Yは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基、あるいは置換または未置換のフェナレノ[1,9-bc]チエニル基を表す)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種含有してなる有機トランジスタ。 X-Y (1) (式中、 Xは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、あるいは置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基を表し、 Yは置換または未置換のチエノベンゾチエニル基、置換または未置換のナフトチエノチエニル基、置換または未置換のアントラ[2,3-b]チエニル基、置換または未置換のベンゾチエノベンゾチエニル基、あるいは置換または未置換のフェナレノ[1,9-bc]チエニル基を表す)
IPC (3件)：
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B
Fターム (53件)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM