特許
J-GLOBAL ID：200903069738498378

半導体装置

発明者：
青木 秀夫

青木 秀夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063365
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260792
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 接続部の信頼性が高く、かつアンダーフィル形成のための樹脂材料の充填を短時間で終了することができるフリップチップ型半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置では、配線基板4の片面に、半導体チップ5がフェースダウンに搭載され、はんだバンプ6を介して電気的に接続されている。そして、半導体チップ5と配線基板4との平均間隙高さHは、バンプ6の配設ピッチをP、間隙高さのばらつき量をDとしたとき、式P/4-D/2≦H≦P/4+D/2を満足させる値となっている。また、配線基板4と半導体チップ5との間隙部には、エポキシ樹脂等の樹脂封止層7が充填・形成され、この樹脂封止層7により、熱膨張率の違いに起因する熱応力の緩和および接続部の機械的保護がなされている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の少なくとも一主面に配線層および接続端子がそれぞれ形成された配線基板と、この配線基板の前記主面にフェースダウンに搭載され、エリア状に配設されたバンプを介して接続された半導体素子と、この半導体素子と前記配線基板との間隙に充填された樹脂封止層とを備えた半導体装置において、前記半導体素子と配線基板との平均間隙高さをH、前記バンプの配設ピッチをP、前記間隙高さのばらつき量をDとしたとき、P/4-D/2≦H≦P/4+D/2となるような平均間隙高さHを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (3件)：
H01L 21/56 E ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/30 D
Fターム (10件)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA05 ,  4M109DB17 ,  5F044KK02 ,  5F044QQ02 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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