特許
J-GLOBAL ID:200903069773293371

研磨スラリー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 森下 賢樹 ,  三木 友由
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2006316096
公開番号(公開出願番号):WO2007-020939
出願日: 2006年08月16日
公開日(公表日): 2007年02月22日
要約:
導体または金属の研磨に用いられる研磨スラリーであって、水と、フラーレンまたはフラーレン誘導体とを含有し、フラーレンまたはフラーレン誘導体の粒径が100nm未満であることを特徴とする。フラーレンまたはフラーレン誘導体の粒径を100nm未満とすることにより、20μm四方で2nm以下の平坦性を実現することができる。
請求項(抜粋):
半導体または金属の研磨に用いられる研磨スラリーであって、 水と、フラーレンまたはフラーレン誘導体とを含有し、 前記フラーレンまたは前記フラーレン誘導体の粒径が100nm未満であることを特徴とする研磨スラリー。
IPC (3件):
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件):
H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C
Fターム (6件):
3C058AA04 ,  3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 銅系金属研磨スラリー
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-225734   出願人:NECエレクトロニクス株式会社, 東京磁気印刷株式会社

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