半導体スイッチ回路、この回路の制御方法及びアッテネータ回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314703
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150464
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】アイソレーションの良好な半導体スイッチ回路を提供する。又、制御端子を少なくすることで、チップサイズを小型化すると共に、半導体素子の操作性、生産性を向上させた半導体スイッチ回路を提供する。【解決手段】入出力端子1、2間に設けた電界効果トランジスタのドレインとソース間のチャンネル部分を信号の通路とする第1の電界効果トランジスタFET1と、前記信号の通路をグランドGNDに落としてアイソレーションを得る第2の電界効果トランジスタFET2とから成る半導体スイッチ回路において、前記第1の電界効果トランジスタFET1のドレイン又はソースに制御電圧を印加すると共に第2の電界効果トランジスタFET2のゲートに前記制御電圧と同一制御電圧を印加して第1及び第2の電界効果トランジスタFET1、2をスイッチング制御することを特徴とする半導体スイッチ回路。

請求項（抜粋）：

入出力端子間に設けた電界効果トランジスタのドレインとソース間のチャンネル部分を信号の通路にする第1の電界効果トランジスタと、前記第1の入出力端子と前記第1の電界効果トランジスタのドレイン又はソースのいずれか一方の端子間に設けられた第1のコンデンサと、前記第2の入出力端子と前記第1の電界効果トランジスタの他方の端子間に設けられた第2のコンデンサと、前記信号の通路をグランドに落とすことでアイソレーションを確保するための第2の電界効果トランジスタとからなる半導体スイッチ回路において、前記第2のコンデンサを構成する直列接続された二つのコンデンサと、前記第1及び第2の電界効果トランジスタをスイッチング制御するための制御端子と、前記第1の電界効果トランジスタのゲートをグランドに接続する第1の抵抗器と、前記第1の電界効果トランジスタの前記他方の端子と前記制御端子との間に設けられた第2の抵抗器と、前記第2の電界効果トランジスタのドレイン又はソースのいずれか一方の端子に接続される電源と、前記直列接続された二つのコンデンサの接続点と前記第2の電界効果トランジスタの前記一方の端子間に設けられた接続線路と、前記第2の電界効果トランジスタのゲートと前記制御端子との間に設けられた第3の抵抗器と、前記第2の電界効果トランジスタの他方の端子とグランド間に設けられたコンデンサとで構成したことを特徴とする半導体スイッチ回路。

IPC (2件)：

H03K 17/687 , H03G 3/10

FI (2件)：

H03K 17/687 G , H03G 3/10 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-252898 出願人：松下電子工業株式会社
信号切換器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-158997 出願人：島田理化工業株式会社
信号切換え装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-036083 出願人：ソニー株式会社

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