特許
J-GLOBAL ID：200903069858418033
薄くされたまたは除去された基板を有するフリップチップ発光ダイオード・デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 今城 俊夫
, 西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-245982
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051255
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 本発明は、従来の方法及び装置における制限及びその他を克服する改良されたフリップチップ発光ダイオード・デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のフリップチップ発光ダイオード・デバイスを製造する方法は、エピタキシャル・ウェハを生成するために成長基板(16)にエピタキシャル層(14)を成長する。エピタキシャル・ウェハに複数の発光ダイオード・デバイスを製造する。デバイス・ダイ(10)を生成するためにエピタキシャル・ウェハをダイスする。デバイス・ダイ(10)をマウント(12)にフリップチップ結合する。フリップチップ結合する段階は、デバイス・ダイ(10)の少なくとも一つの電極(20,22)をマウント(12)の少なくとも一つのボンディング・パッド(26,28)に結合することによってデバイス・ダイ(10)をマウント(12)に固定することを含む。フリップチップ結合することに続いて、デバイス・ダイ(10)の成長基板(16)の厚みを低減する。【選択図】 図1A
請求項（抜粋）：
フリップチップ発光ダイオード・デバイスを製造する方法であって、
エピタキシャル・ウェハを生成するために成長基板にエピタキシャル層を成長する段階と、
前記エピタキシャル・ウェハに複数の発光ダイオード・デバイスを製造する段階と、
デバイス・ダイを生成するために前記エピタキシャル・ウェハをダイシングする段階と、
前記デバイス・ダイをマウントにフリップチップ結合する段階であり、前記フリップチップ結合する段階は、前記デバイス・ダイの少なくとも一つの電極を前記マウントの少なくとも一つのボンディング・パッドに結合することによって前記デバイス・ダイを前記マウントに固定する段階を含む、該段階と、及び
前記フリップチップ結合する段階に続いて、前記デバイス・ダイの前記成長基板の厚みを低減する段階と
を具備することを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F041AA03
, 5F041AA06
, 5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041AA33
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041DA04
, 5F041DA09
, 5F041DA19
, 5F041DA43
, 5F041DA57
, 5F041EE17
, 5F041EE25
