特許
J-GLOBAL ID：200903069872026237

アクティブマトリクス装置

発明者：
小山 潤

小山 潤 について

, 
河崎 祐司

河崎 祐司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367985
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203368
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタを用いて特性および信頼性に優れたモノリシック型アクティブマトリクス装置を得る。【解決手段】 同一基板上に画素領域および駆動回路を含むアクティブマトリクス装置において、全ての薄膜トランジスタはPチャネル型であり、前記駆動回路はチャネル形成領域にホウ素を含む薄膜トランジスタ223を含み、前記画素領域はチャネル形成領域にホウ素を含まない薄膜トランジスタ225からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
同一基板上に画素領域および駆動回路を含むアクティブマトリクス装置において、全ての薄膜トランジスタはPチャネル型であり、前記駆動回路はチャネル形成領域にホウ素を含む薄膜トランジスタを含み、前記画素領域はチャネル形成領域にホウ素を含まない薄膜トランジスタからなることを特徴とするアクティブマトリクス装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368
FI (3件)：
H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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