特許
J-GLOBAL ID：200903069873878121
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282145
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129888
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】セルフアライン的に形成されたソース・ドレインとLDDを有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板10にゲート電極31、絶縁層21を介して交差する半導体層32を形成し、基板10側から、ゲート電極31をマスクとして、基板面と所定の角度でレーザー光線を上記半導体層32に照射し、雰囲気中の不純物を半導体層中に導入し、また、基板側から、ゲート電極をマスクとして、基板面と略垂直の角度でレーザー光線を半導体層32に照射し、雰囲気中の不純物を半導体層中に導入する。これにより、半導体層32に、チャネルが形成されるチャネル領域Cと、ソース・ドレイン領域である高濃度不純物拡散領域S,Dと、該ドレイン領域とチャネル領域とを接続する低濃度不純物拡散領域LDDとを形成した薄膜トランジスタが得られる。
請求項（抜粋）：
基板に形成されたゲート電極と絶縁層を介して交差する半導体層が設けられ、この半導体層に、チャネルが形成されるチャネル領域と、ソース・ドレイン領域である高濃度不純物拡散領域と、該ドレイン領域と該チャネル領域とを接続する低濃度不純物拡散領域とが自己整合的に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 M
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 616 A
