特許
J-GLOBAL ID：200903069893024811
埋め込み半導体光デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090542
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 埋め込み構造を有した発光デバイス等との整合性に優れた偏波回転素子や光増幅器を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板上に作製された埋め込み導波路において、その導波路進行方向に沿って導波路近傍の上部の埋め込み層圧が特定周期ごとに薄くなっており、導波路進行方向に導波路の中央部を軸としてその薄くなった埋め込み層の位置が左右で半周期だけずれていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に作製された埋め込み導波路において、その導波路進行方向に沿って導波路近傍の上部の埋め込み層厚が特定周期ごとに薄くなっており、導波路進行方向に導波路の中央部を軸としてその薄くなった埋め込み層の位置が左右で半周期だけずれていることを特徴とする埋め込み半導体光デバイス。
IPC (3件)：
G02B 6/126
, G02F 1/025
, H01S 3/18
G02B 6/12 E
, G02F 1/025
, H01S 3/18
