特許

J-GLOBAL ID：200903070070451453

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 竹内 弘毅 ,  丹沢 有備 ,  友澤 明弘 ,  梅村 晋一郎 ,  東 隆
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス東日本セミコンダクタ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170930
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022550
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】高い洗浄能力を維持しつつ、LSIパターンへのダメージを低減した超音波洗浄技術を提供する。【解決手段】超音波洗浄装置200のウエハステージ201の上方に配置される石英ロッド204の先端部には、洗浄液208に伝わる超音波のエネルギーを減衰させる減衰部材207が取り付けてあり、石英ロッド204の先端部から基板1の表面に過剰な超音波エネルギーが印加されない構造になっている。また、ウエハステージ201に取り付けたウエハチャック202の外周側の高さを基板1の表面の高さとほぼ等しくし、洗浄液208がウエハチャック202の最外周部まで広がるようにしたので、洗浄液208と空気との界面が基板1の周縁部よりも外側に位置するようになり、基板1の周縁部に過剰な超音波エネルギーが印加されない。【選択図】 図17

請求項（抜粋）：

以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法: (a)半導体ウエハの主面上の第1絶縁膜にアスペクト比が2以上の接続孔を形成する工程、 (b)前記接続孔が形成された前記半導体ウエハの主面を超音波洗浄する工程。

IPC (1件)：

H01L21/304

FI (2件)：

H01L21/304 642E ,  H01L21/304 643D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ウェハ洗浄装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-516502   出願人：バーテックインコーポレーテッド
• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056001   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 内壁面洗浄用超音波ホーン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-317547   出願人：株式会社カイジョー
• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287067   出願人：株式会社フロンテック, 大見忠弘