特許
J-GLOBAL ID:200903070075250740
昇圧回路
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-271586
公開番号(公開出願番号):特開2002-083498
出願日: 2000年09月07日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 従来よりもチップ面積を小さくできる昇圧回路を提供する。また、面積の利用効率が良い昇圧回路を提供する。さらに、昇圧波形の異状が発生し難く、昇圧スピードの速い昇圧回路を提供する。【解決手段】 第1のノードと第2のノードとの間に直列に接続された複数の整流素子Q1、Q2、・・・と、複数の整流素子の接続点にそれぞれ接続された複数のコンデンサC1、C2、・・・と、入力信号を反転して出力する反転手段NAND、INV1、INV2、・・・が環状に奇数個直列接続されることにより形成され、複数のコンデンサに所定の位相を有する交流信号を供給する発振ループとを具備する。
請求項(抜粋):
第1のノードに印加された直流電位を昇圧して第2のノードから出力する昇圧回路であって、前記第1のノードと前記第2のノードとの間に直列に接続された複数の整流素子と、前記複数の整流素子の接続点にそれぞれ接続された複数のコンデンサと、入力信号を反転して出力する反転手段が環状に奇数個直列接続されることにより形成され、前記複数のコンデンサに所定の位相を有する交流信号を供給する発振ループと、を具備することを特徴とする昇圧回路。
IPC (2件):
FI (2件):
H02M 3/07
, G11C 17/00 632 A
Fターム (10件):
5B025AD10
, 5B025AE00
, 5B025AE05
, 5H730AS04
, 5H730BB02
, 5H730BB57
, 5H730BB86
, 5H730BB89
, 5H730DD04
, 5H730FG01
引用特許:
出願人引用 (10件)
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-000297
出願人:株式会社東芝
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半導体回路装置およびそのパルス生成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-117274
出願人:株式会社東芝
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半導体記憶装置及び電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-201542
出願人:東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-111499
出願人:株式会社東芝
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チャージポンプ昇圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-331199
出願人:日本電気株式会社
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チャージポンプ回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-111619
出願人:三洋電機株式会社
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チャージポンプ回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-305849
出願人:株式会社デンソー
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負電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-256735
出願人:株式会社東芝
-
昇圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-241769
出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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昇圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-080410
出願人:株式会社東芝
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審査官引用 (10件)
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-000297
出願人:株式会社東芝
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チャージポンプ昇圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-331199
出願人:日本電気株式会社
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半導体回路装置およびそのパルス生成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-117274
出願人:株式会社東芝
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チャージポンプ回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-111619
出願人:三洋電機株式会社
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チャージポンプ回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-305849
出願人:株式会社デンソー
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半導体記憶装置及び電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-201542
出願人:東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-111499
出願人:株式会社東芝
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負電圧発生回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-256735
出願人:株式会社東芝
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昇圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-241769
出願人:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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昇圧回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-080410
出願人:株式会社東芝
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