特許
J-GLOBAL ID：200903070118698987
シリコン部材の接合方法及びシリコンデバイス
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-360928
公開番号（公開出願番号）：特開2003-163228
出願日： 2001年11月27日
公開日（公表日）： 2003年06月06日
要約：
【要約】【課題】比較的低温且つ穏やかな条件で、シリコン部材間を接合できるシリコン部材の接合方法を提供すること。【解決手段】一方のシリコン部材の接合面に膜厚20nm以下のAu薄膜を形成するAu薄膜形成工程と、他方のシリコン部材の接合面と該Au薄膜とを当接させて所定温度で加熱する加熱工程とを有することを特徴とする。接合しようとするシリコン部材間に介在させたAu薄膜を膜厚20nm以下とすることで、活性なシリコン原子がAu薄膜を透過して表面に現れ、その活性なシリコン原子の働きで、シリコン部材間に強固な結合が生起できるのである。
請求項（抜粋）：
一方のシリコン部材の接合面に膜厚20nm以下のAu薄膜を形成するAu薄膜形成工程と、他方のシリコン部材の接合面と該Au薄膜とを当接させて所定温度で加熱する加熱工程とを有することを特徴とするシリコン部材の接合方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/52 E
, H01L 21/603 B
5F044KK05
, 5F044RR17
, 5F044RR19
, 5F047AB10
, 5F047BA04
, 5F047BB19
