特許

J-GLOBAL ID：200903070147976830

露光用マスク及びその製造方法

発明者： 有本 宏 ,  荻野 宏三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-270861
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079981
出願日： 2002年09月18日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】荷電粒子ビーム転写露光装置(例えば、電子ビーム転写露光装置)により一括露光を行う場合に用いる複数の相補マスクからなる露光用マスクの製造方法に関し、被露光物(例えば、ウエハ)に高精度のパターン(例えば、ゲートパターン)を形成できるようにする。【解決手段】設計された元のゲートパターンを分割処理してなるサブパターンA1〜A4、B1〜B3のうち、隣接間距離が基準値以下のサブパターンA1、B1、A4は、1個のパターンとみなし、2個の相補マスク21、22に分配せず、1個のマスク21に形成する。【選択図】 図14

請求項（抜粋）：

元のパターンを分割処理してなるパターンを分配してなる複数個の相補マスクからなる露光用マスクであって、 隣接間距離が基準値以下のパターンは、1個の相補マスクに分配されていることを特徴とする露光用マスク。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F1/16

FI (3件)：

H01L21/30 541S ,  G03F1/08 A ,  G03F1/16 B

Fターム (4件)：

2H095BA08 ,  2H095BB28 ,  2H095BC09 ,  5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子線露光用マスク及びそのパターン設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088392   出願人：日本電気株式会社
• パターンの分割方法及び半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248219   出願人：株式会社ニコン
• マスクパターン自動発生方法およびマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-166391   出願人：日本電気株式会社
• EBマスクの設計方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-288752   出願人：日本電気株式会社