特許
J-GLOBAL ID:200903070152903484
カソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲットおよびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
本田 ▲龍▼雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-093453
公開番号(公開出願番号):特開2003-286566
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2003年10月10日
要約:
【要約】【課題】 AlおよびCrを必須成分として含有するカソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲットにおいて、アークスポットの不均一移動が防止され、引いてはマクロパーティクルの生成が抑制された品質の高い硬質皮膜を形成することができるターゲットおよびその好適な製造方法を提供する。【解決手段】 ターゲット中に含有されるCr粒とAlとの間に形成されるAlとCrの化合物層の厚みが30μm以下である。あるいはCuKαを用いたθ=2θ法のX線回折にて回折角度10〜60°の間に観察されるAl-Cr化合物のピーク強度の総和がAl、CrおよびAl-Cr化合物のピーク強度の総和に対して10%以下である。さらに、ターゲットの相対密度は92%以上である。
請求項(抜粋):
AlおよびCrを必須成分として含有するカソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲットであって、当該ターゲット中に含有されるCr粒とAlとの間に形成されるAlとCrの化合物層の厚みが30μm以下であり、相対密度が92%以上である、カソード放電型アークイオンプレーティング用ターゲット。
IPC (4件):
C23C 14/34
, B22F 3/15
, C22C 14/00
, C22C 21/00
FI (4件):
C23C 14/34 A
, B22F 3/15 M
, C22C 14/00 Z
, C22C 21/00 N
Fターム (12件):
4K018AA06
, 4K018AA15
, 4K018AA40
, 4K018BA03
, 4K018BA08
, 4K018BA20
, 4K018EA11
, 4K018KA29
, 4K029DC04
, 4K029DC07
, 4K029DC09
, 4K029DD06
引用特許: