急速熱処理(RTP)システムにおける改善された温度制御のための方法および装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-507989
公開番号（公開出願番号）：特表2001-514441
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：

【要約】物体の広帯域反射率を測定し、RTPシステムでこの測定結果を使用して、物体の処理の際に使用されるRTPシステム・パラメータを調節する急速熱処理(RTP)法を提示する。

請求項（抜粋）：

RTPシステムを使用する反射力を有する表面を有する物体の急速熱処理(RTP)法であって、物体の表面の反射率を広帯域波長で測定し、 RTPシステムのシステム・パラメータを、測定された反射率に応じて調節することからなる方法。

IPC (4件)：

H01L 21/26 , G01J 5/00 , H01L 21/205 , H01L 21/66

FI (4件)：

G01J 5/00 B , H01L 21/205 , H01L 21/66 T , H01L 21/26 T

Fターム (16件)：

2G066AB02 , 2G066AC20 , 2G066CA01 , 4M106CA60 , 4M106DH02 , 4M106DH12 , 4M106DH14 , 4M106DH44 , 4M106DH46 , 4M106DH56 , 4M106DJ12 , 4M106DJ20 , 5F045BB01 , 5F045EK11 , 5F045GB05 , 5F045GB15

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-132824
ランプアニール炉の温度制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158495 出願人：光洋精工株式会社
真空処理装置及びそれを用いた成膜装置と成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-161188 出願人：株式会社日立製作所

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