特許
J-GLOBAL ID：200903070200245680

炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法ならびに薄膜トランジスタ

発明者：
町田 暁夫

町田 暁夫 について

, 
碓井 節夫

碓井 節夫 について

, 
野口 隆

野口 隆 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147897
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332492
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 良好な結晶性を有する炭化ケイ素薄膜が形成されると共に軽量化が可能な炭化ケイ素薄膜構造体およびその製造方法、並びに炭化ケイ素薄膜構造体を利用した薄膜トラジスタを提供する。【解決手段】 プラスチック製の基板10の上面に熱伝導抑制層としてバッファ層11を形成する。続いて、非晶質SiC層12をスパッタリング法により形成し、これをエネルギービームの照射により結晶化させる。これにより、スパッタリング時に内部に取り込まれた微量の水素が非晶質SiC層12より脱離すると共に、非晶質SiC層12が結晶化されて多結晶SiC層13となり、炭化ケイ素薄膜構造体1が作製される。例えば、出力1000W、スパッタリングガスをアルゴン、ターゲットをホウ素がドープされたSiC基板としたDCスパッタリングにより、非晶質SiC層12にホウ素をドーピングできる。
請求項（抜粋）：
少なくとも1種類以上の有機高分子材料よりなる絶縁基体上に熱伝導抑制層を介して炭化ケイ素薄膜が形成された炭化ケイ素薄膜構造体であって、前記炭化ケイ素薄膜はエネルギービームの照射によって少なくとも表面近傍を結晶化されていることを特徴とする炭化ケイ素薄膜構造体。
IPC (8件)：
H01L 21/20 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
H01L 21/20 ,  C23C 14/06 B ,  C23C 14/34 N ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (54件)：
4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BA56 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB08 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029GA00 ,  5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA10 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD17 ,  5F103GG02 ,  5F103HH10 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK03 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL07 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP08 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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