電気的にプログラム可能なメモリセル装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010090
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199697
出願日： 1997年01月06日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】高いメモリ密度が得られしかも僅かな製造工程と高い歩止まりで製造可能である半導体をベースとした電気的にプログラム可能なメモリセル装置を提供する。【解決手段】電気的にプログラム可能なメモリセル装置は、トラップを持つゲート誘電体を備えたMOSトランジスタをそれぞれ含みそして平行に延びる行に配置された多数の個々のメモリセルを含む。隣接する行は縦溝5の底部と隣接する縦溝5間とにそれぞれ交互に延び、互いに絶縁される。メモリセル装置は2F2 のメモリセル当たりの必要面積を持つ自己整合工程によって製造される(Fは最小パターンサイズ)。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)に多数の個別のメモリセルが設けられ、これらのメモリセルはほぼ平行に延びる行にそれぞれ配置され、半導体基板(1)の主面(2)には行にほぼ平行に延びる縦溝(5)が設けられ、行は隣接する縦溝(5)間の主面(2)と縦溝(5)の底部とにそれぞれ交互に配置され、隣接する行を互いに絶縁する絶縁構造体(3、8)が設けられ、メモリセルは少なくとも1つのMOSトランジスタ(10、9、10)をそれぞれ含み、異なった行に沿って配置されたMOSトランジスタのゲート電極にぞれぞれ接続されたワード線(9)が行に直角に延在し、MOSトランジスタはトラップを持つ材料から成るゲート誘電体(7)を有することを特徴とする電気的にプログラム可能なメモリセル装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-046115 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置およびその書き換え方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-049238 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭55-080360

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