特許
J-GLOBAL ID：200903070290842275

太陽電池の製造方法及び太陽電池

発明者：
林 真澄

林 真澄 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 佐々木 宗治 ,  小林 久夫 ,  木村 三朗 ,  大村 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-334912
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172271
出願日： 2002年11月19日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】安全で、極めて簡便で、かつ安価な手法にて表面に付着したメタルを除去し、発電効率の改善を見込める洗浄度が得られる半導体基板を母材とした太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】太陽電池を製造する工程のうち、ダメージ層除去工程S2、テクスチャー形成工程S3、pn接合形成工程S4或いはpn接合分離工程S5の少なくともいずれかの工程の直後に半導体基板洗浄工程SWを実施し、該半導体基板洗浄工程SWは太陽電池の母材である半導体基板を純水に所定時間浸漬し、その後当該半導体基板を弗化水素酸水溶液に浸漬して当該半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去する一連の処理を複数回繰り返し、半導体基板上に付着したメタルを除去するようにしたものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板から太陽電池を製造する太陽電池の製造方法において、 前記太陽電池を製造する工程で少なくとも1回実施される太陽電池の母材である半導体基板の表面に付着したメタルを除去する半導体基板洗浄工程は、半導体基板を純水に所定時間浸漬し、その後当該半導体基板を弗化水素酸水溶液に浸漬して当該半導体基板の表面に形成された酸化膜を除去する一連の処理を複数回繰り返してなるものであることを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L31/04 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306
FI (4件)：
H01L31/04 A ,  H01L21/304 642B ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/306 D
Fターム (12件)：
5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043GG10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CB20 ,  5F051CB30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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