特許
J-GLOBAL ID：200903070312430383
光通信システム
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051265
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252418
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】 モニタ用受光素子に半導体レーザ光出力を制御するのに十分な光を分岐し、光出力を安定化させ、信頼性、効率の高い光通信システムを提供する。【解決手段】 レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、レーザ光を得るために活性層の上部および下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップとする。反射鏡はそれを構成する材料層の屈折率が小/大と周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡で、屈折率が小の材料層はAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(0≦y<x≦1)とする。ここで、モニタ用受光素子の出力を用いて半導体レーザの光出力を制御するようにする。この光出力を分岐する分岐手段において、使用波長帯での光透過率を1%以上50%以下とし、モニタ用受光素子も独立して複数とする。
請求項（抜粋）：
レーザチップと該レーザチップから出射したレーザ光を分岐する分岐手段と、該分岐されたレーザ光と光結合している光伝送路としての光ファイバもしくは光導波路と、分岐された他方のレーザ光をモニタする受光素子とを含む光通信システムにおいて、前記レーザチップは発振波長が1.1μm〜1.7μmであり、光を発生する活性層を、主たる元素がGa、In、N、Asからなる層、もしくはGa、In、Asよりなる層とし、レーザ光を得るために前記活性層の上部および下部に設けられた反射鏡を含んだ共振器構造を有する面発光型半導体レーザ素子チップであって、前記反射鏡はそれを構成する材料層の屈折率が小/大と周期的に変化し入射光を光波干渉によって反射する半導体分布ブラッグ反射鏡であるとともに、前記屈折率が小の材料層はAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)とし、前記屈折率が大の材料層はAl<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>As(0≦y<x≦1)とした反射鏡であり、かつ前記屈折率が小と大の材料層の間に該屈折率が小と大の間の値をとる材料層Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>As(0≦y<z<x≦1)を設けてなる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源とした光通信システムであって、前記モニタ用受光素子の出力を用いて、半導体レーザの光出力を制御することを特徴とする光通信システム。
IPC (5件)：
H01S 5/183
, G02B 6/42
, H01S 5/022
, H01S 5/343
, H01S 5/40
H01S 5/183
, G02B 6/42
, H01S 5/022
, H01S 5/343
, H01S 5/40
2H037AA01
, 2H037BA02
, 2H037BA11
, 2H037CA10
, 2H037CA37
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA06
, 5F073AA65
, 5F073AB04
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073EA15
, 5F073FA02
, 5F073FA04
, 5F073FA06
, 5F073FA07
