特許
J-GLOBAL ID：200903070346645036

不揮発性半導体記憶装置、その読み出し及び書き込み方法、その製造方法

発明者：
山内 祥光

山内 祥光 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094339
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284555
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 高信頼性、高速書き込み可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体基板上に、第1絶縁膜を介して形成されたFGと、第2絶縁膜を介してFGと所定の間隔おいて形成されたSPGと、少なくともFG上に第3絶縁膜を介して形成されたCGと、チャネル方向におけるSPGと反対側のFGの端部においてFGと容量結合する半導体基板表面層に形成された不純物拡散層とからなるセルを少なくとも2つ有し、FGとSPGが、チャネル方向において交互に配置されており、かつ、一のセルの不純物拡散層が、隣接する他のセルのSPGと容量結合していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置により上記の課題を解決する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第1絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、第2絶縁膜を介して浮遊ゲートと所定の間隔おいて形成されたスプリットゲートと、少なくとも浮遊ゲート上に第3絶縁膜を介して形成された制御ゲートと、チャネル方向におけるスプリットゲートと反対側の浮遊ゲートの端部において浮遊ゲートと容量結合する半導体基板表面層に形成された不純物拡散層とからなるセルを少なくとも2つ有し、浮遊ゲートとスプリットゲートが、チャネル方向において交互に配置されており、かつ、一のセルの不純物拡散層が、隣接する他のセルのスプリットゲートと容量結合していることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (27件)：
5F001AA01 ,  5F001AA08 ,  5F001AB02 ,  5F001AC02 ,  5F001AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP34 ,  5F083EP42 ,  5F083EP48 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER06 ,  5F083ER30 ,  5F083GA09 ,  5F083JA04 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR33 ,  5F083PR37 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F101BA01 ,  5F101BA23 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (3件)

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