特許
J-GLOBAL ID：200903070358580908

成膜方法

発明者：
成嶋 健索

成嶋 健索 について

, 
村上 誠志

村上 誠志 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-311807
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079543
出願日： 2003年09月03日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】CVDによるTi膜を成膜した後、TiN膜等の他の膜を成膜する場合に、Ti成膜が低温であってもこれらの間の膜剥がれを防止することができる成膜方法を提供すること。【解決手段】被処理基板にTi膜を成膜する工程(STEP2)と、Ti膜の表面を酸化させる工程(STEP3)と、その上にCVDによりTiN膜を成膜する工程(STEP5)とを具備する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
被処理基板上にCVDによりTi膜を成膜する工程と、 前記Ti膜の表面を酸化させる工程と、 前記Ti膜表面を窒化処理する工程と を具備することを特徴とする成膜方法。
IPC (6件)：
H01L21/285 ,  C23C16/14 ,  C23C16/56 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (7件)：
H01L21/285 C ,  C23C16/14 ,  C23C16/56 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 C
Fターム (45件)：
2H092HA04 ,  2H092JB01 ,  2H092KA18 ,  2H092NA17 ,  2H092NA18 ,  4K030BA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK03 ,  5F033KK25 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX13
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM