バリアメタル膜の形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-392824
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217134
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 SiO2膜が成膜された半導体ウェハ上にW膜を成膜する場合に形成される、Ti膜及びTiN膜からなるバリアメタル膜のバリアメタル膜の密着性を改善するための手段を提供すること。【解決手段】半導体ウェハ1上にTi膜6をプラズマCVD法により成膜し、次いで、処理チャンバ内にNH3ガスを導入し、Ti膜に接触させて表面改質処理を行う。その後、TiN膜7を熱CVD法により成膜することとする。表面改質処理では、Ti膜の膜厚が所定値を越える場合に、NH3ガスの導入量を、Ti膜の膜厚が所定値である場合に導入される量よりも多くすることを特徴とする。これにより、Ti膜表面全域にNH3ガスが十分に接触し、表面改質不良によるバリアメタル膜5の膜剥がれが防止される。

請求項（抜粋）：

シリコン酸化膜が成膜された半導体ウェハ上に金属膜を成膜する場合に、チタン膜及び窒化チタン膜からなる混合膜をバリアメタル膜として形成する方法において、前記チタン膜をプラズマCVD法により成膜する第1ステップと、前記第1ステップの後、前記半導体ウェハが配置された処理チャンバ内にアンモニアガスを導入し、前記チタン膜の表面改質処理を行う第2ステップと、前記第2ステップの後、前記窒化チタン膜を熱CVD法により成膜する第3ステップとを含み、前記チタン膜の膜厚が所定値を越える場合に、前記第2ステップにおける前記アンモニアガスの導入量を、前記チタン膜の膜厚が前記所定値である場合に導入される前記アンモニアガスの導入量よりも多くすることを特徴とするバリアメタル膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 21/285 301 R , H01L 21/285 C , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/88 R

Fターム (42件)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA15 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD86 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 4M104HH08 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP12 , 5F033QQ90 , 5F033WW02 , 5F033WW05 , 5F033XX13

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-318129 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-010389 出願人：日本電気株式会社
埋込みプラグの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-137921 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る