処理装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-146628
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338488
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】エッチング液の交換を自動化し易くし、装置の停止時間の短縮を図ることを目的とした処理装置を提供する。【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ1を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部3a付のエッチング槽3と、前記溢流部3aに溢流した燐酸をエッチング槽3外に導いて濾過、加熱及び純水を添加してエッチング槽3内へ戻す循環濾過経路部5と、前記エッチング槽3から取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理を行なう再生処理が行なわれる、燐酸再生装置6と、前記燐酸再生装置6で再生された燐酸を前記エッチング槽3に補給する補給配管140aと、前記エッチング処理が行なわれた回数を計測し、該処理回数に基づき、エッチング液の全量を交換するエッチング液交換手段とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを熱燐酸によってエッチング処理する溢流部付のエッチング槽と、前記溢流部に溢流した燐酸をエッチング槽外に導いて濾過、加熱及び純水を添加してエッチング槽内へ戻す循環濾過経路部と、エッチング処理を行なった燐酸を回収し、該燐酸にフッ酸を加えて加熱処理を行なう再生処理が行なわれる、燐酸再生装置と、前記燐酸再生装置で再生された燐酸を前記エッチング槽に補給する補給配管と、前記エッチング処理が行なわれた回数を計測し、該処理回数に基づき、燐酸の全量を交換するエッチング液交換手段とを含む、処理装置。

Fターム (7件)：

5F043AA35 , 5F043BB23 , 5F043EE11 , 5F043EE22 , 5F043EE23 , 5F043EE25 , 5F043EE33

引用特許：

審査官引用 (4件)

エッチング液の再生処理装置及びそれを用いたエッチング装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-095836 出願人：日曹エンジニアリング株式会社
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-352959 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開昭61-182231

全件表示

前のページに戻る