特許
J-GLOBAL ID:200903070423873233
ガスセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-096273
公開番号(公開出願番号):特開2000-292397
出願日: 1999年04月02日
公開日(公表日): 2000年10月20日
要約:
【要約】【課題】 ガス選択層の厚みを余り大きくしないようにし、容量を小さくして電池駆動を可能とする。【解決手段】 ガスに対する選択性を高めるには、触媒濃度を高くするか膜厚を厚くしなければならなかったが、この発明のように選択燃焼層の膜厚と触媒濃度との積に着目すると、例えば20μmwt%以上ではメタン感度が水素感度を上回ることが分かったので、この関係を満たすように構成する。
請求項(抜粋):
所定の基板上に形成され、可燃性ガスの有無を酸化物半導体の抵抗値の変化を利用して検出するガスセンサであって、ガス検知部を酸化物半導体薄膜と、選択燃焼層厚膜との積層構造とすることを特徴とするガスセンサ。
FI (2件):
G01N 27/12 B
, G01N 27/12 C
Fターム (17件):
2G046AA19
, 2G046AA21
, 2G046BA01
, 2G046BA06
, 2G046BA07
, 2G046BA09
, 2G046BE02
, 2G046BE03
, 2G046EA02
, 2G046FB02
, 2G046FC01
, 2G046FC02
, 2G046FE03
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE36
, 2G046FE39
引用特許:
審査官引用 (7件)
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特開平2-054157
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一酸化炭素ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-073950
出願人:富士電機株式会社
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ガスセンサおよびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-048946
出願人:富士電機株式会社
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薄膜ガスセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-248629
出願人:富士電機株式会社
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特開平3-115965
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特開昭59-099342
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特開昭59-038641
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