半導体装置製造方法および半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鹿嶋英實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-204269
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023071
出願日： 2001年07月05日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】高集積半導体装置の製造に費やす時間を短縮し、トランジスタ特性に影響を及ぼすことなく、DRAMを混載可能とする。【解決手段】まず、多層配線ブロック20を形成する。次に、トランジスタ素子ブロック21を形成する。そして、トランジスタ素子ブロック21上に、多層配線ブロック20を張り合わせる。このとき、例えば、配線が形成されない領域に薄く無機SOGを塗布し、張り合わせた後に400°Cから500°C程度の熱処理を行ない、両ブロックの層間絶縁膜を接着するとともに、多層配線ブロック20の配線aとトランジスタ素子ブロック21のタングステン19とをシリサイド化反応させて電気的に接合させる。

請求項（抜粋）：

下層から上層までを下層から順次形成していく半導体装置製造方法において、半導体装置の層方向に分割された複数のパーツを、それぞれのパーツ毎に形成するパーツ形成工程と、前記パーツ形成工程で作成された複数のパーツ同士を張り合わせる接合工程とを有することを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/768 , H01L 21/02 , H01L 21/8238 , H01L 21/8242 , H01L 27/00 301 , H01L 27/092 , H01L 27/10 461 , H01L 27/108

FI (7件)：

H01L 21/02 B , H01L 27/00 301 B , H01L 27/10 461 , H01L 21/90 A , H01L 27/10 621 B , H01L 27/08 321 K , H01L 27/08 321 N

Fターム (56件)：

5F033HH04 , 5F033HH09 , 5F033HH26 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK26 , 5F033MM07 , 5F033PP09 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033TT08 , 5F033VV10 , 5F033VV16 , 5F033XX33 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA00 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BG14 , 5F048DA23 , 5F083GA28 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083PR00 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-028057 出願人：山形日本電気株式会社
電子装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-352775 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-147965 出願人：株式会社日立製作所, 日立コンピュータエンジニアリング株式会社

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