特許
J-GLOBAL ID:200903070460781926

温度測定装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-103318
公開番号(公開出願番号):特開2002-296121
出願日: 2001年04月02日
公開日(公表日): 2002年10月09日
要約:
【要約】【課題】高感度、高速応答、小型、高精度、経時変化が少なく高信頼性の温度測定装置を安価に供給する。【解決手段】基板1から熱分離した半導体薄膜15にバイポーラ型またはMOSFET型のトランジスタ10を1個又は複数個形成し、そのトランジスタ10をトランジスタサーミスタ103としての温度センサ20とコレクタ抵抗またはドレイン抵抗の損失による発熱をヒータ30として利用する。そして、トランジスタ10での発熱を利用して、トランジスタサーミスタ103で温度を測定する。また、必要に応じこれらのトランジスタ10の周辺回路なども同一基板1に集積化する。
請求項(抜粋):
バイポーラ型のトランジスタ(10、11、12、13、14)のエミッタ・ベース間電圧Vebを所定の電圧にして、コレクタ抵抗をサーミスタとして取り扱うトランジスタサーミスタ103の温度センサ(20)を利用した温度測定装置において、1個または複数のバイポーラ型のトランジスタが基板(1)から熱分離した半導体薄膜(15)に形成してあり、少なくとも1個の前記バイポーラ型のトランジスタのエミッタ・ベース間電圧Vebを所望の電圧にしてコレクタ電流を流し、コレクタ損失による発熱をヒータ(30)として作用させると共に、少なくとも1個の前記バイポーラ型のトランジスタを温度センサ(20)として作用させて、前記ヒータ(30)の温度を計測できるようにしたことを特徴とする温度測定装置。
IPC (8件):
G01K 7/01 ,  G01F 1/692 ,  G01F 1/696 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/082 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 21/331
FI (8件):
H01L 27/08 331 E ,  G01K 7/00 391 S ,  G01F 1/68 104 A ,  G01F 1/68 104 C ,  G01F 1/68 201 Z ,  G01K 7/00 391 M ,  H01L 27/08 101 B ,  H01L 29/72 P
Fターム (19件):
2F035EA05 ,  2F035EA08 ,  5F003AP08 ,  5F003AZ03 ,  5F003BH11 ,  5F048AA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BG05 ,  5F082BA06 ,  5F082BA35 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082FA20 ,  5F082GA04
引用特許:
審査官引用 (9件)
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