特許
J-GLOBAL ID：200903070524562018
半導体装置用基板及びその製造方法及び半導体パッケージ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-046448
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249601
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 本発明は特殊な加工工程を用いずに安価且つ容易に製造することができ、狭ピッチの微細端子を有する半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 インターポーザ1をシリコン基板2を用いて形成する。シリコン基板2の表面と裏面との間を貫通して延在し、先端が表面又は裏面のいずれから突出した角錐形状の実装端子6をシリコン基板2中に形成する。シリコン基板2の表面に、実装端子6に電気的に接続された導電層を含む配線層4を形成する。実装端子6の角錐形状は、シリコン基板2の異方性エッチングにより形成した凹部を用いる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板の第1の面と第2の面との間を貫通して延在し、先端が該第1及び第2の面のいずれか一方から突出した角錐形状の実装端子と、前記シリコン基板の第1の面に形成され、該実装端子に電気的に接続された導電層を含む配線層とよりなることを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 23/32
H01L 23/12 501 Z
, H01L 23/32 D
, H01L 23/12 N
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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