特許
J-GLOBAL ID：200903070531975751

発光ダイオードアレイ

発明者：
松下 哲也

松下 哲也 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277797
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 膜厚が薄く形成された第三の半導体層の途中でエッチングを止めるときの制御が難しく、また、このエッチング量の相違により、個別電極直下の半導体層の断面形状が変化するため、発光強度の再現性が乏しくなるという問題があった。【解決手段】 半導体基板上に一導電型を呈する島状の第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層上に逆導電型を呈する第二の半導体層を設け、前記第一の半導体層と第二の半導体層にそれぞれ電極を接続して設けた発光ダイオードアレイにおいて、前記第二の半導体層上に、この第二の半導体層と同じ導電型で不純物濃度が1×1019atoms/cm3 以上で、膜厚が0.1μm以下の第三の半導体層を設け、さらにこの第三の半導体層中に、前記第二の半導体層と同じ導電型で、この第三の半導体層とはエッチングレートが異なる第四の半導体層を設けた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に一導電型を呈する島状の第一の半導体層を列状に設け、この第一の半導体層上に逆導電型を呈する第二の半導体層を設け、前記第一の半導体層と第二の半導体層にそれぞれ電極を接続して設けた発光ダイオードアレイにおいて、前記第二の半導体層上に、この第二の半導体層と同じ導電型で不純物濃度が1×1019atoms/cm3 以上で、膜厚が0.1μm以下の第三の半導体層を設け、さらにこの第三の半導体層中に、前記第二の半導体層と同じ導電型で、この第三の半導体層とはエッチングレートが異なる第四の半導体層を設けたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。
Fターム (9件)：
5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CB22
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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