発光ダイオードおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082181
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326909
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】カソード電極を接続する層の膜厚がばらつき、複数の発光ダイオード間の発光ばらつきがあると共に、カソード電極を接続する層を厚めに形成しなければならないという問題があった。【解決手段】基板上に、一導電型半導体層を含む層を形成すると共に、この一導電型半導体層を含む層上に、この一導電型半導体層を含む層の一部が露出するように逆導電型半導体層を形成し、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上にそれぞれ電極を接続して成る発光ダイオードにおいて、前記一導電型半導体層を含む層の露出部をIn1-x Gax Asで形成すると共に、前記逆導電型半導体層の最下層をGaAs層で形成し、前記In1-x Gax As層の下部に一導電型を呈するGaAs層と第二のIn1-y Gay As層を形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型半導体層を含む層を形成すると共に、この一導電型半導体層を含む層上に、この一導電型半導体層を含む層の一部が露出するように逆導電型半導体層を形成し、この一導電型半導体層の露出部と前記逆導電型半導体層上にそれぞれ電極を接続して成る発光ダイオードにおいて、前記一導電型半導体層を含む層の露出部をIn1-X GaX Asで形成すると共に、前記逆導電型半導体層の最下層をGaAs層で形成し、前記In1-X GaX As層下部に一導電型を呈するGaAs層と第二のIn1-y Gay As層を形成したことを特徴とする発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (9件)

オプトエレクトロニクス半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114695 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
光電子集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-238895 出願人：ソニー株式会社
レーザーアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312314 出願人：ゼロックスコーポレイション

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