半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328314
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143474
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】ノイズに強く、高い動作周波数に対応できる半導体集積回路を提供する。【解決手段】本発明の実施の形態による半導体集積回路は、メモリアレイ、メモリアレイへのデータの書込みおよびメモリアレイからのデータの読出しを行なうための入力回路、出力回路、ならびにメモリアレイ、入力回路および出力回路を内包する100個のピンを含むパッケージとを備える。第4ピン、第11ピン、第20ピン、第27ピン、第54ピン、第61ピン、第70ピン、第77ピンには、同一電圧(VddI,VddQ)を与える。入力回路および出力回路はそれぞれ、互いに異なるピンから、電源電圧VddI、VddQを受ける。

請求項（抜粋）：

第1電源電圧が供給される、メモリセルアレイを含む内部回路と、前記メモリセルアレイの書込動作/読出動作を実行させるための信号を取込む入力回路と、前記メモリセルアレイから読出したデータを外部に出力する出力回路と、4つの側面に100個のピンを配置する、前記入力回路と前記内部回路と前記出力回路とを取囲むパッケージとを備え、前記100個のピンのうち、第4ピン、第11ピン、第20ピン、第27ピン、第54ピン、第61ピン、第70ピン、第77ピンのそれぞれには、第2電源電圧が供給され、前記入力回路と前記出力回路とは、前記第4ピン、前記第11ピン、前記第20ピン、前記第27ピン、前記第54ピン、前記第61ピン、前記第70ピン、前記第77ピンのうち互いに異なるピンから前記第2電源電圧の供給を受けて動作する、半導体集積回路。

IPC (6件)：

G11C 11/41 , G11C 11/413 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8244 , H01L 27/11

FI (5件)：

G11C 11/34 345 , G11C 11/34 J , G11C 11/34 335 A , H01L 27/04 D , H01L 27/10 381

Fターム (32件)：

5B015HH01 , 5B015HH03 , 5B015JJ04 , 5B015JJ15 , 5B015JJ21 , 5B015KB32 , 5B015KB33 , 5B015KB64 , 5B015KB65 , 5B015KB72 , 5B015MM04 , 5B015NN03 , 5B015NN04 , 5B015PP02 , 5B015QQ13 , 5F038BE07 , 5F038BE09 , 5F038BG06 , 5F038BG09 , 5F038BH19 , 5F038CA05 , 5F038CA10 , 5F038DF05 , 5F038EZ20 , 5F083BS00 , 5F083GA01 , 5F083GA11 , 5F083LA07 , 5F083LA10 , 5F083LA17 , 5F083LA21 , 5F083ZA23

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-135127 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-022064 出願人：株式会社東芝
特開平1-258461

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