半導体メモリセル及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-091154
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288472
出願日： 1995年04月17日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【目的】メモリセルの容量を増大させる。【構成】メモリセルはワード線54に電圧がかかり立ち上がることで選択され、その情報の読み出しと書き込みを行う。この情報は、ビット線50を通してメモリセル外部からメモリセルに伝えられたり、外部に情報を伝えたりする。情報の保持はストレージ電極53とセルプレート電極55との間に形成される容量部に蓄積された電荷なので、この容量が大きいほどメモリセルの性能が良いことになる。ストレージ電極53の構造を斜めに傾斜を持つ構造としたので、容量部の面積が増大する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたストレージ電極と、前記ストレージ電極上に絶縁膜と、前記絶縁膜上にセルプレート電極とを、備えた半導体メモリセルにおいて、前記ストレージ電極は、前記半導体基板の主面方向に対して、斜め上方に傾斜した平面を有することを特徴とする半導体メモリセル。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 681 E , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-069774 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-373168
特開平4-320369

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