特許

J-GLOBAL ID：200903070667019390

半導体発光素子

発明者： 細羽 弘之
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017218
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 窓層の平坦性を向上でき、結果的に発光効率及び信頼性を大幅に向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板21上に、n-GaAsバッファ層22(例えば、Si濃度5×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>)を0.5μm、n-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>InP(0≦x≦1,0≦y≦1)クラッド層23(例えば、x=0.7,y=0.5,Si濃度5×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>)を1.0μm、(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>InP(0≦x≦1,0≦y≦1)活性層24(例えば、x=0.05,y=0.5)を0.5μm、p-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>InP(0≦x≦1,0≦y≦1)クラッド層25(例えば、x=0.7,y=0.5,Zn濃度5×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>)を1.0μm、p-(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>InP(0<x<1,0<y<1)窓層26(例えば、x=0.5,y=0.5)を5μm順次積層成長する。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層を含む発光部と電流拡散層が形成されたAlGaInP系の半導体発光素子において、前記電流拡散層が(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>1-y</SB>InP(0<x<1,0<y<1)である半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平3-148189
  
• 特開平3-283674
  
• 発光ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-136945   出願人：松下電子工業株式会社
• 特開平2-214801
  
• 特開平4-167486
  
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-175768   出願人：昭和電工株式会社
• 発光領域制限型発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-217975   出願人：オムロン株式会社
• 特開平4-212479