半導体記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-087881
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 DRAMの消費電力を低減し、データ保持性能を向上させ、かつアクセス時間を短縮する。【構成】メモリセルアレイMA1〜MA16のうち選択されたメモリセルアレイだけにディスターブ用の深い基板電位Vbbaを与え、非選択のメモリセルアレイにはポーズ用の浅い基板電位Vbbsを与えるようにした。

請求項（抜粋）：

各々が、複数のデータを記憶し、対応するブロック選択信号に応答して活性化される複数のメモリブロックと、前記メモリブロックのための第1の内部電位を発生する第1の内部電位発生手段と、前記メモリブロックのうち活性化されたメモリブロックを選択し、その選択されたメモリブロックに前記第1の内部電位発生手段によって発生された第1の内部電位を供給する選択手段とを備えた半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平3-245393
特開昭54-027785
特開平4-162659

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