MOSイメージセンサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-267152
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081139
出願日： 2005年09月14日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：

【課題】イメージセンサ内に入射した光が金属配線等に反射して生じる迷光の多重反射を減らして高画質の画像を撮像できるようにする。【解決手段】半導体基板表面の受光面に複数の光電変換素子33が正方格子状に配列形成されたMOSイメージセンサにおいて、前記受光面に渡って設けられ光電変換素子33を避けるように形成された配線60,61,63,64であって各光電変換素子対応に設けられた信号読出回路に接続される配線60,61,63,64のうち所定配線60,61を導電性ポリシリコン膜で形成する。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の受光面に複数の光電変換素子が正方格子状に配列形成されたMOSイメージセンサにおいて、前記受光面に渡って設けられ前記光電変換素子を避けるように形成された配線であって各光電変換素子対応に設けられた信号読出回路に接続される配線のうち所定配線を導電性ポリシリコン膜で形成したことを特徴とするMOSイメージセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 U

Fターム (21件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118EA01 , 4M118EA07 , 4M118EA15 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118GB03 , 4M118GB07 , 4M118GB11 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024AX01 , 5C024CY47 , 5C024GY31

引用特許：

出願人引用 (1件)

CMOSイメージセンサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-113473 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-126474 出願人：キヤノン株式会社
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-144886 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法、CCD撮像素子、および撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-149137 出願人：株式会社ニコン

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