特許
J-GLOBAL ID：200903070740262835
磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂本 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-318838
公開番号（公開出願番号）：特開平10-139479
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：
【要約】【課題】 磁気情報記憶媒体装置のランプローディング方式において、磁気ヘッドの疑似コンタクトレコーディングを可能とし、またランディングゾーン方式における磁気ヘッドの安定浮上を可能とすると共に高記憶密度化に対応したデータ領域での低浮上化を可能とする表面特性とを兼ね備えた磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板および磁気情報記憶媒体を提供する。【解決手段】 SiO2-Al2O3-Li2O系ガラスセラミックスからなり、該ガラスセラミックスの主結晶相はβ-石英固溶体(β-SiO2固溶体)またはβ-石英固溶体(β-SiO2固溶体)及びβ-スポジュメン(β-Li2O・Al2O3・4SiO2)の少なくとも1種であることを特徴とする磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板を形成する。
請求項（抜粋）：
SiO2-Al2O3-Li2O系ガラスセラミックスからなり、該ガラスセラミックスの主結晶相はβー石英固溶体(βーSiO2固溶体またはβー石英固溶体(βーSiO2固溶体)及びβースポジュメン(βーLi2O・Al2O3・4SiO2)の混晶の少なくとも1種であることを特徴とする磁気情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板。
IPC (7件)：
C03C 10/04
, B23K 26/00
, C03B 32/00
, C03C 3/097
, G11B 5/66
, G11B 5/82
, G11B 5/84
C03C 10/04
, B23K 26/00 E
, C03B 32/00
, C03C 3/097
, G11B 5/66
, G11B 5/82
, G11B 5/84 Z
