特許

J-GLOBAL ID：200903070818261105

半導体製造装置

発明者： 木村 嘉伸 ,  金子 好之 ,  賀茂 尚広
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079092
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277454
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】絶縁基板と半導体膜との熱歪を避け、短時間で大粒径多結晶化が可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】レーザ装置から出射したレーザ光をハーフミラーを用いて第1レーザ光、第2レーザ光の二ビームに分離し、両者間に光路差を設け、絶縁膜基板上に形成された非晶質半導体膜に第1レーザ光を照射した後、所定時間遅延して第2レーザ光を照射することによって、大粒径の多結晶半導体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

被加熱試料保持手段と、レーザ光源と、上記レーザ光源からのレーザ光の光路上に設置されたハーフミラーと、上記ハーフミラーによって分離された第1レーザ光と第2レーザ光の、上記光源から上記試料保持手段上の被加熱試料表面までの光路長が異なるように配置された複数のミラーを有することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 J ,  H01L 21/20

Fターム (8件)：

5F052AA02 ,  5F052BA02 ,  5F052BA15 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レーザ照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194270   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-119219
  
• 半導体薄膜の製造装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-020225   出願人：シャープ株式会社
• 半導体層のアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-185665   出願人：カシオ計算機株式会社