特許
J-GLOBAL ID：200903070823973741
半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及び半導体ウェハ用研磨パッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-311951
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146704
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】硬質発泡樹脂ではない特定の構成の研磨パッドの研磨面側に、表面粗さが小さい溝を効率よく形成できる半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法及びこの加工方法で得られ、スクラッチ及びディッシングを効果的に抑制できる半導体ウェハ用研磨パッドを提供する。【解決手段】複数の刃が突設された多刃ユニットと該多刃ユニットを固定するホルダとを備える加工具を用いて、架橋重合体(架橋1,2-ポリブタジエン及び/又は架橋エチレン-酢酸ビニル共重合体等)を含有する非水溶性マトリックスと該非水溶性マトリックス中に分散された水溶性粒子(β-シクロデキストリン)とを有する半導体ウェハ用研磨パッドの研磨面側に、各々表面粗さが20μm以下である複数条の溝を同時に切削形成して得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の刃が突設された多刃ユニットと該多刃ユニットを固定するホルダとを備える加工具を用いて、架橋重合体を含有する非水溶性マトリックスと該非水溶性マトリックス中に分散された水溶性粒子とを有する半導体ウェハ用研磨パッドの研磨面側に、各々表面粗さが20μm以下である複数条の溝を同時に切削形成することを特徴とする半導体ウェハ用研磨パッドの加工方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 622F
, B24B37/00 C
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA17
